Le coréen vient de faire deux annonces importantes dans le domaine des mémoires flash.
Ces composants électroniques sont au coeur de nombreux appareils électroniques,
comme les clés de stockage USB, les cartes mémoire destinées aux appareils photo numériques, les lecteurs MP3, etc.
Tout d'abord, Samsung a dévoilé ses premiers composants de mémoire flash de 32 gigabits.
L'enjeu est de multiplier par huit l'espace de stockage des cartes Compact Flash pour atteindre 64 Go.
De quoi satisfaire les besoins des nouveaux caméscopes numériques de plus en plus gourmands.
La seconde annonce concerne le développement d'un nouveau type de mémoire flash,
appelé PRAM (pour Phase Change Random Access Memory), et qui n'entrera en production qu'en 2008.
Cette mémoire est d'ores et déjà présentée comme la remplaçante des mémoires flash de type NOR,
autrement dit celle qui est implantée dans certains appareils mobiles, comme les modules GPS et les assistants personnels.
Les cartes d'extension mémoire (NAND) seront vraisemblablement concernées dans un deuxième temps,
car la PRAM présente de nombreux avantages : des vitesses de lecture et d'enregistrement trente fois plus élevées,
une durée de vie dix fois supérieure et des dimensions réduites. Avec de telles performances, les disques durs ont du souci à se faire...
Source : 01net.com |
